Lynred, industriel leader européen en imageur infrarouge, développe et commercialise des détecteurs infrarouges pour des applications spatiales, militaires et industrielles.

Safran et Thales en sont actionnaires à parts égales (50/50).

Le stagiaire sera accueilli au sein du III-V Lab, un laboratoire de recherche industriel constitué en Groupement d’Intérêt Economique par ses 3 Membres de tutelle : Thales, Nokia et le CEA. Le III-V Lab conduit des activités de recherche et développement sur les composants microélectronique et optoélectronique à base de semi-conducteurs III-V pour différents domaines d'application (télécommunications, défense, sécurité, spatial etc.).  Le lieu du stage sera celui de Thales Research & Technology (TRT) France constitue le centre de recherche et technologies français du Groupe Thales au service des activités mondiales de Thales. Ce laboratoire se situe en face du site de Palaiseau de Lynred. Des échanges hebdomadaires seront organisés entre les 2 sites partenaires.

Les circuits de détection infrarouges sont réalisés via des procédés microélectroniques appliqués aux matériaux semiconducteurs type II-VI (HgCdTe), ou III-V InGaAs chez Lynred.  Les matériaux II-VI possèdent l’avantage de pouvoir répondre à toutes les bandes infrarouges. Pour les matériaux III-V, pour la bande du proche infrarouge (1-2.5µm), les détecteurs les plus performants se bornent à 1.65µm pour des raisons technologiques (filière InGaAs). De nouvelles applications comme l’observation de la composition chimique de l’atmosphère terrestre au-delà de 1.7µm ou le tri sélectif de déchets nécessitent des détecteurs qui couvrent toute la fenêtre proche infrarouge jusqu’à 2.5µm (aussi appelé extended SWIR ou e-SWIR).

A ce jour, il n’existe pas encore de détecteurs en matériaux III-V établis avec les bonnes performances électro-optiques pour adresser la longueur d’onde de 2.5µm à des températures de fonctionnement non cryogénique. Pour développer cette nouvelle filière, il est nécessaire d’optimiser les conditions de croissance pour obtenir des matériaux de bonne qualité. Cette qualité matériau peut être avantageusement caractérisée par la méthode dite de décroissance de photoconduction (photoluminescence decay ou PLD)

Dans ce contexte Lynred propose un stage en partenariat avec III-V lab sur le site de Thales Research & Technology (TRT).

Vos missions seront les suivantes :

-Vous optimiserez un banc de mesure de durée de vie de porteurs de charges minoritaires par décroissance de photoluminescence. Cette mesure de durée de vie est directement reliée à la qualité cristalline du matériau et permettra une optimisation fine des conditions de croissance des matériaux en développement. En particulier vous chercherez à maximiser le rapport signal sur bruit du banc en jouant sur la source de lumière (laser), sur le chemin optique, le détecteur et l’électronique de mesure (amplification).

-Vous étudierez et mettrez en œuvre la détection jusqu’à 2.5µm sur le banc (choix du détecteur, interfaçage).

-Vous validerez les améliorations apportées du banc sur du matériau de référence InGaAs utilisé pour la détection infrarouge. Puis sur les nouveaux matériaux pour la détection e-SWIR

-Vous serez intégré à la direction technique de Lynred du site de Lynred Palaiseau qui concentre la production et la R&D des circuits de détection III-V (ex : InGaAs).

 Le stage se déroulera en étroite collaboration avec plusieurs métiers liés à la caractérisation et aux procédés de fabrication, dans un cadre alliant la recherche et développement et industrialisation. Vous serez intégrés autant à l’équipe de R&D et production III-V Lynred qu’au sein du laboratoire d’accueil (III-V lab sous l’encadrement TRT). Vous aurez la chance d’avoir accès au sein des 2 sites d’accueil d’un très large panel de ce que peut offrir l’industrie du semi-conducteur, de la recherche amont jusqu’au développement produit.

-Vous êtes Etudiant en Ecole d’Ingénieur ou formation équivalente, vous préparez un master 2

-Vous possédez des compétences en physique du solide, des semi-conducteurs, optiques, électronique, lumière et matière ou dispositif quantiques

-Vous êtes intéressé par la conception de composants optiques à semi-conducteurs, leur réalisation et leur caractérisation expérimentale

Une connaissance de la fabrication en salle blanche et de la physique infrarouge serait un plus

Stage 3ème année école d’ingénieur, Master 2

Matériau, instrumentation, Physique, Micro-électronique, Optoélectronique.